ภาคต่อของ T-FORCE VulcanZ DDR4 ชิป Hynix CJR C-Die OC Up to DDR4-4400Mhz CL18 ก็มาครับ

     สำหรับรีวิวนี้เราก็จะมาต่อกันในเรื่องของการ Overclock แรมคู่นี้ขึ้นไปอีกหนึ่งระดับที่ต้องบอกเลยว่า ผมเองก็ไม่เชื่อเหมือนกัน ถ้าไม่ได้เจอกับตัวเอง…..  ความเดิมตอนที่แล้วรีวิว T-Force VulcanZ DDR4-3200Mhz CL16-18-18-38 1.35V 16GB (8GBx2) คู่นี้เราทราบกันดีอยู่แล้วว่าด้านในเลือกใช้ชิปของ Hynix CJR C-DIE และสามารถ Overclock ได้ดีมากในระดับ DDR4-4000Mhz CL18-24-24-45 2T 1.45V แบบเสถียรภาพดีในระดับหนึ่งเลย ซึ่งก็ถือว่าไม่ธรรมดาแล้วนะสำหรับชิป Hynix ที่ก้าวข้ามขีดจำกัดของตัวเองด้วยความเร็ว Mhz เกินระดับ 4000Mhz ได้สำเร็จ โดยครั้งก่อนได้ต่อใช้งานร่วมกับเมนบอร์ด ROG MAXIMUS XI APEX ( Z390) ก็พบว่าเอาแบบเสียรภภาพจริงๆ ก็คงได้ที่แรวๆ 4000Mhz CL18 และลากต่อเล่นได้แบบสุดๆ ก็อยู่ที่ระดับ 4133Mhz+

     คราวนี้เรามาเปลี่ยนเมนบอร์ดดูอารมณ์การ Overclock แรมบน MSI MEG Z390I GAMING EDGE AC ดูกันบ้างครับ เพราะหลายๆ คนน่าจะเห็นความแรงในการลาก Mhz แรมสูงๆ ของเมนบอร์ดรุ่นนี้กันมาแล้ว ว่าโดดเด่นมาก และล่าสุดก็มีคนทำ BIOS พิเศษที่แก้มาให้กับแรมชิป Samsung B-Die, Hynix C-Die และ Micron E-Die โดยเฉพาะ ที่ความถี่แรมแบบ Single Channel  @ DDR4-5100-5300Mhz+ กันเลยทีเดียวและเพิ่ม Profile สำหรับ Preset ของแรมในความเร็วต่างๆ มาให้ลองเล่นดูอีกด้วยครับ  โดย BIOS ดังกล่าวเป็นแบบ beta ที่ทำมาสำหรับเรื่องการ Overclock แรมโดยเฉพาะใน Version O.18  และเมื่อได้มาแล้วเราก็ทำการ Flash แล้วลองเล่นดูทันที ก็พบว่ามันพิเศษกว่า BIOS รุ่นอื่นใด และโดยเฉพาะการ Overclock แรมชิป Hynix C-Die นั้นทำได้แบบหน้าเหลือเชื่อมากครับ

      หลังจากที่เอาแรมมาเสียบเล่นดูกับเมนบอร์ด MSI MEG Z390I GAMING EDGE AC แล้วพบว่าการ Overclock แรมด้วยชิป Hynix C-Die นั้นมันง่ายมากจริงๆ เพียงแค่ปรับ CL แรมตัวหลักๆ แช่ไว้เช่น CL18-24-24-45 2T แล้วปรับไฟเลี้ยง 1.45V ของแรมทิ้งไว้  จากนั้นก็ลองปรับความเร็วของแรมขึ้นตั้งแต่ DDR4-4000, 4133, 4266, 4333 ไปจนถึง DDR4-4400Mhz ก็พบว่ามันสามารถบูทเข้าสู่ OS ได้ทุกครั้ง โดยไม่การปรับแต่งอะไรให้พิเศษ โดยผมได้ลองปรับไฟเลี้ยง VCCIO และ VCCSA แช่ไว้ที่ 1.42V/1.45V แค่นี้ก็เพียงพอแล้วที่จะทำให้แรมชิป Hynix C-Die คู่นี้วิ่งไปที่ความเร็วในระดับ DDR4-4266Mhz CL18 ได้อย่างมีเสถียรภาพแล้วล่ะครับ

     ต้องถือว่าทาง MSI ทำ BIOS มาเผื่อแรมได้หลากหลายชิปจริงๆ ไม่ว่าจะเป็น Samsung B-Die, Hynix C-Die และ Micron E-Die ที่กลับมาวิ่งดีอีกครั้ง ล่าสุด Micron E-Die ชิปนี้สามารถทำสถิติโลกได้แล้วนะครับ กับความเร็วแรมสูงสุดที่ DDR4-57xxMhz กันเลยทีเดียว เนื่องด้วยว่าตัวชิปไม่มีปัญหาเรื่องเย็นเกินแล้วหยุดทำงาน ภายใต้การทำงานที่อุณหภูมิติดลบแบบเยอะๆ ด้วย LN2 จึงทำให้การคุมอุณหภูมินั้นทำได้ง่ายขึ้น ต่างจากแรม Samsung B-Die ที่ต้องคุมอุณภูมิอยู่ในช่วง -80c ถึง -140c ถึงจะไม่มีอาการ CB/CBB

ภาพบรรยากาศในการทดสอบครั้งนี้ครับ

Hardware Spec.

System Config

     เพื่อไม่เป็นการเสียเวลาเราชมผลการทดสอบแบบอลังการของแรมชิป Hynix คู่นี้กันเลยดีกว่าครับกับความเร็วระดับ DDR4-4400 (2200Mhz) CL18-24-24-45 2T 1.45V + การปรับแต่ง Sub-Timing ให้แน่นที่สุดเท่าที่ชิป Hynix C-Die จะรับได้ ซึ่งก็พบว่ามันสามารถ Overclock ได้สนุกมากๆ ชิปหนึ่งเลยก็ว่าได้ และผมเชื่อว่าน่าจะแรงสุดๆ สำหรับแรมชิป Hynix ณ ชั่วโมงนี้แล้วก็ว่าได้….