ภาคต่อของ T-FORCE VulcanZ DDR4 ชิป Hynix CJR C-Die OC Up to DDR4-4400Mhz CL18 ก็มาครับ

May 21, 2019May 22, 2019 Audigy 14221 Views

สำหรับรีวิวนี้เราก็จะมาต่อกันในเรื่องของการ Overclock แรมคู่นี้ขึ้นไปอีกหนึ่งระดับที่ต้องบอกเลยว่า ผมเองก็ไม่เชื่อเหมือนกัน ถ้าไม่ได้เจอกับตัวเอง….. ความเดิมตอนที่แล้วรีวิว T-Force VulcanZ DDR4-3200Mhz CL16-18-18-38 1.35V 16GB (8GBx2) คู่นี้เราทราบกันดีอยู่แล้วว่าด้านในเลือกใช้ชิปของ Hynix CJR C-DIE และสามารถ Overclock ได้ดีมากในระดับ DDR4-4000Mhz CL18-24-24-45 2T 1.45V แบบเสถียรภาพดีในระดับหนึ่งเลย ซึ่งก็ถือว่าไม่ธรรมดาแล้วนะสำหรับชิป Hynix ที่ก้าวข้ามขีดจำกัดของตัวเองด้วยความเร็ว Mhz เกินระดับ 4000Mhz ได้สำเร็จ โดยครั้งก่อนได้ต่อใช้งานร่วมกับเมนบอร์ด ROG MAXIMUS XI APEX ( Z390) ก็พบว่าเอาแบบเสียรภภาพจริงๆ ก็คงได้ที่แรวๆ 4000Mhz CL18 และลากต่อเล่นได้แบบสุดๆ ก็อยู่ที่ระดับ 4133Mhz+

คราวนี้เรามาเปลี่ยนเมนบอร์ดดูอารมณ์การ Overclock แรมบน MSI MEG Z390I GAMING EDGE AC ดูกันบ้างครับ เพราะหลายๆ คนน่าจะเห็นความแรงในการลาก Mhz แรมสูงๆ ของเมนบอร์ดรุ่นนี้กันมาแล้ว ว่าโดดเด่นมาก และล่าสุดก็มีคนทำ BIOS พิเศษที่แก้มาให้กับแรมชิป Samsung B-Die, Hynix C-Die และ Micron E-Die โดยเฉพาะ ที่ความถี่แรมแบบ Single Channel @ DDR4-5100-5300Mhz+ กันเลยทีเดียวและเพิ่ม Profile สำหรับ Preset ของแรมในความเร็วต่างๆ มาให้ลองเล่นดูอีกด้วยครับ โดย BIOS ดังกล่าวเป็นแบบ beta ที่ทำมาสำหรับเรื่องการ Overclock แรมโดยเฉพาะใน Version O.18 และเมื่อได้มาแล้วเราก็ทำการ Flash แล้วลองเล่นดูทันที ก็พบว่ามันพิเศษกว่า BIOS รุ่นอื่นใด และโดยเฉพาะการ Overclock แรมชิป Hynix C-Die นั้นทำได้แบบหน้าเหลือเชื่อมากครับ

หลังจากที่เอาแรมมาเสียบเล่นดูกับเมนบอร์ด MSI MEG Z390I GAMING EDGE AC แล้วพบว่าการ Overclock แรมด้วยชิป Hynix C-Die นั้นมันง่ายมากจริงๆ เพียงแค่ปรับ CL แรมตัวหลักๆ แช่ไว้เช่น CL18-24-24-45 2T แล้วปรับไฟเลี้ยง 1.45V ของแรมทิ้งไว้ จากนั้นก็ลองปรับความเร็วของแรมขึ้นตั้งแต่ DDR4-4000, 4133, 4266, 4333 ไปจนถึง DDR4-4400Mhz ก็พบว่ามันสามารถบูทเข้าสู่ OS ได้ทุกครั้ง โดยไม่การปรับแต่งอะไรให้พิเศษ โดยผมได้ลองปรับไฟเลี้ยง VCCIO และ VCCSA แช่ไว้ที่ 1.42V/1.45V แค่นี้ก็เพียงพอแล้วที่จะทำให้แรมชิป Hynix C-Die คู่นี้วิ่งไปที่ความเร็วในระดับ DDR4-4266Mhz CL18 ได้อย่างมีเสถียรภาพแล้วล่ะครับ

ต้องถือว่าทาง MSI ทำ BIOS มาเผื่อแรมได้หลากหลายชิปจริงๆ ไม่ว่าจะเป็น Samsung B-Die, Hynix C-Die และ Micron E-Die ที่กลับมาวิ่งดีอีกครั้ง ล่าสุด Micron E-Die ชิปนี้สามารถทำสถิติโลกได้แล้วนะครับ กับความเร็วแรมสูงสุดที่ DDR4-57xxMhz กันเลยทีเดียว เนื่องด้วยว่าตัวชิปไม่มีปัญหาเรื่องเย็นเกินแล้วหยุดทำงาน ภายใต้การทำงานที่อุณหภูมิติดลบแบบเยอะๆ ด้วย LN2 จึงทำให้การคุมอุณหภูมินั้นทำได้ง่ายขึ้น ต่างจากแรม Samsung B-Die ที่ต้องคุมอุณภูมิอยู่ในช่วง -80c ถึง -140c ถึงจะไม่มีอาการ CB/CBB

ภาพบรรยากาศในการทดสอบครั้งนี้ครับ

Hardware Spec.

CPU	Intel Core i7-8086K 6C/12T Coffeelake 14nm. (Gen.8)
CPU Cooler	Water Cooling Custom Set
Motherboard	MSI MEG Z390I GAMING EDGE AC
Memory	T-Force VulcanZ DDR4-3200 CL16-18-18-38 16GB-Kit [8GBx2] 1.35V
VGA	MSI GTX1080 Ti GAMING X
Hard Drive	Apacer Panther AS340 240GB (OS)
PSU	CoolerMaster V1200 Platinum
OS	Windows 10 Pro 64 bit [Last Update] 1809

System Config

เพื่อไม่เป็นการเสียเวลาเราชมผลการทดสอบแบบอลังการของแรมชิป Hynix คู่นี้กันเลยดีกว่าครับกับความเร็วระดับ DDR4-4400 (2200Mhz) CL18-24-24-45 2T 1.45V + การปรับแต่ง Sub-Timing ให้แน่นที่สุดเท่าที่ชิป Hynix C-Die จะรับได้ ซึ่งก็พบว่ามันสามารถ Overclock ได้สนุกมากๆ ชิปหนึ่งเลยก็ว่าได้ และผมเชื่อว่าน่าจะแรงสุดๆ สำหรับแรมชิป Hynix ณ ชั่วโมงนี้แล้วก็ว่าได้….

UEFI BIOS Overclocking Config

และนี่ก็คือค่า Overclock Config ต่างๆ สำหรับรีวิวฉบับนี้ในการ Overclock แรม VulcanZ DDR4-3200Mhz คู่นี้ขึ้นไปที่ความเร็ว DDR4-4400Mhz CL18-24-24-45 2T 1.45V ได้อย่างมีเสถียรภาพดีเลยล่ะครับ ลองดูเป็นแนวทางกันได้เลย….

ในส่วนของค่า tRDRDSG/tRDRDDG และ tWRWRSG/tWRWRDG นั้นปกติแล้วถ้าเป็นชิป Samsung B-Die สามารถกดกันได้ในระดับ 7/4 หรือ 6/4 กันเลยทีเดียว ซึ่งจะมีผลต่อ Memory Bandwidth ของค่า Read และ Write ในโปรแกรม AIDA64 มากพอสมควร แต่สำหรับแรมชิป Hynix C-Die นั้นต้องยอมคลายเป็น 8/4 ทั้ง 2 ชุดถึงจะยอมบูทที่ความถี่สูงๆ เกินระดับ DDR4-4266Mhz+ ไปจนถึง DDR4-4400Mhz ได้อย่างมีเสถียรภาพดี ด้วยไฟเลี้ยงต่ำเพียง 1.45V เท่านั้นเอง และนี่ก็เป็นข้อดีของแรมชิป Hynix CJR อย่างหนึ่งเลย คือกินไฟไม่เยอะจริงๆ…

การปรับแต่งชุดไฟเลี้ยงต่างๆ ครับ โดย VCCIO และ VCCSA นั้นถ้าปล่อย Auto ไว้จะจ่ายให้ประมาณ 1.40-1.42V ครับ ผมเลยไป Fix เองเผื่อไว้ที่ VCCIO/VCCASA @ 1.42/1.45V โดยไฟจุดนี้จะมากน้อยก็ขึ้นอยู่กับ CPU แต่ละตัวด้วย ลองลด หรือเพิ่มได้ตามความต้องการ/เหมาะสมของ CPU ท่านเองครับ ส่วนของผมใช้ประมาณนี้ OK….

Benchmark Results

เอาล่ะครับมาชมความแรงของแรมชิป Hynix CJR C-Die คู่นี้กันเลยดีกว่าครับว่ามันมีความเสถียรภาพและแรงแค่ไหนกัน กับความเร็วระดับ DDR4-4400Mhz CL18-24-24-45 2T 1.45V ที่เราปรับแต่งค่า Sub-Timing ต่างมาให้เท่าที่มันจะสามารถทดสอบ RunMemTest ผ่านได้แบบเสถียรภาพ…. (จริงๆ แล้ว DDR4-4400Mhz CL18-22-22-44 ก็สามารถเข้า OS ได้นะครับแต่ไม่เสถียรภาพ โดยค่า CL ชุดนี้ถ้าจะเล่นแรมแค่ความเร็ว DDR4-4266Mhz ถึง DDR4-4300Mhz สามารถใช้ CL 18-22-22-42 2T ได้เลยครับ)

MSI Command Center Lite และ Memory Timing

ค่าไฟเลี้ยงต่างๆ และค่า Timing ที่เช็คได้จากโปรแกรม MSI Command Center Lite/Memory ครับ

RunMemTest 1100%+

เสถียรแค่ไหน ถามใจเธอดู… นี่วิ่งมาถึง DDR4-4400Mhz CL18-124-24-45 2T 1.45V กันเลยนะครับ กับ Spec แรมเดิมๆ เขาคัดมาแค่แรม DDR4-3200Mhz CL16-18-18-38 1.35V เท่านั้นเอง เท่ากับว่าได้ความเร็วเพิ่มขึ้นมาถึง 1200Mhz มาฟรีๆ กันเลยล่ะครับ ฮ่าๆ….. แต่มีข้อแม้นะครับ ถ้าจะเอาแบนิ่งๆ เนียนๆ แบบนี้ ชิป Hynix CJR C-Die ที่เราได้มาทดสอบคู่นี้ จำเป็นต้องคุมอุณหภูมิห้องให้ดี โดยต้องอยู่ในห้องแอร์เท่านั้นถึงจะสามารถ Overclock เกิน DDR4-4300Mhz ถึง DDR4-4400Mhz ผ่านได้อย่างมีเสถียรภาพ ส่วนแค่ที่ความเร็ว DDR4-4266Mhz CL18-22-22-42 1.45V นั้นไม่จำเป็นต้องห้องแอร์ก็สามารถรัน Memtest ผ่านในห้องร้อนๆ 36-37c ผ่านได้แบบชิวๆ ครับ

สรุปคร่าวๆ กับแรมชิป Hynix CJR C-Die คู่นี้คือไม่ต้องใช้ไฟเลี้ยงเยอะ แค่1.45V ก็วิ่งในระดับ DDR4-4400Mhz+ ผ่านได้อย่างมีเสถียรภาพ แต่มีข้อแม้ว่า ถ้าร้อนมากๆ มันจะทดสอบหรือ Benchmark อะไรผ่านได้ยากมาก ซึ่งผมก็ยังไม่แน่ใจว่าเป็นที่คุณภาพของชิปแรมคู่นี้เท่านั้นหรือป่าว อันนี้ต้องรอพิสูจน์กับแรม C-Die คู่อื่นๆ ว่ามีดีกว่านี้หรือไม่ คงต้องหาโอกาสสัมผัสดูกันอีกครั้ง… แล้วจะมาบอกว่าจริงๆ แล้วมันสุดแค่นี้ หรือยังไปต่อได้อีก…

Super Pi

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

x264 FHD Benchmark

Cinebench R15

FryRender x64

Geekbench 4

Realbench V2.56

Vray Benchmark

3DMARK Night Raid

3DMARK Fire Strike

3DMARK Time Spy

Max Boot Frequency

@ DDR4-4900Mhz CL21 1.75V

ยังไม่สุดค่นี้ครับ เขาว่ายุคนนี้แรมชิป Hynix กลับมาแล้วจริงหรือ ? ลองดูกันเลยครับกับ Profile OC แรมใหม่แบบ Single Channel ที่ทำมาให้เลยใน BIOS รุ่นนี้ ซึ่งผมพยายามลองไล่เล่นดูเองก็พบว่า การปรับแต่งแบบ Manual เองสามารถ Overclock ได้ดีกว่าครับ โดยผมสามารถที่จะบูทแรมคู่นี้ให้ติดได้สูงสุดก็ที่ DDR4-4900Mhz CL21-31-31-63 ไฟเลี้ยง 1.75V ครับ ซึ่งก็ถือว่าบ้ามากๆ แล้วนะครับกับแรมชิป Hynix CJR ที่มาได้ถึงขนาดนี้ !!!!

Max Single Channel Overclocking

@ DDR4-4800Mhz CL21-31-31-63 2T 1.55V

และ Overclock กันแบบสุดกับแรมตัวนี้แบบแถวเดียว Single Channel ที่ความเร็ว DDR4-4800Mhz CL21-31-31-36 2T 1.55V ก็สามารถเข้า OS ได้แบบชิวๆ เลยล่ะครับ จัดว่าไม่ธรรมดาจริงๆ ทั้งตัวแรมและการออกแบบเมนบอร์ด ผมเองนี่อึ้งไปเลยในตอนแรก ที่ได้ลองกับตัวเองว่าแรมชิป Hynix สามารถ Overclock เกินความเร็วระดับ 4000Mhz+ ได้แล้ว และนี่มาได้ถึง 4800-4900Mhz กันเลยนะครับ…. ถ้าเป็นชิปคัดดีๆ ผมว่าน่าจะไปได้เหมือนที่เมืองนอกทำกันได้ในระดับ DDR4-5xxxMhz+ ด้วยชิป Hynix CJR C-DIE เช่นกัน…

Conclusion.

เป็นอย่างไรกันบ้างครับสำหรับผลการ Overclock แรม T-Force VulcanZ DDR4-3200Mhz CL16-18-18-38 1.35V 16GB-Kit คู่นี้ที่ทำการ Overclock ร่วมกับเมนบอร์ด MSI MEG Z390I GAMING EDGE AC ได้เป็นอย่างดี ช่วยให้เราเห็นความเสถียรภาพในแรมชิป Hynix CJR C-Die ในระดับความเร็ว DDR4-4400Mhz CL18-22-22-44 1.45V พร้อมกับการปรับแต่ง Sub-Timing ให้แน่น และยังสามารถทดสอบ Memtest ผ่านได้ในระดับ 1100%+ ได้แบบนิ่มๆ กันเลยทีเดียว จัดว่าไม่ธรรมดาจริงๆ สำหรับแรมและเมนบอร์ดคู่นี้ที่ทำให้เราได้เห็นว่า.. แท้จริงแล้วชิป Hynix C-Die นั้นสามารถ Overclock ให้ทะลุความเร็ว 4xxxMhz+ ได้สำเร็จแล้ว !!!

สุดท้ายนี้เราก็ขอฝากเทคนิคการปรับแต่งแรมชิป Hynix CJR C-DIE คู่นี้ไว้เป็นแนวทางสำหรับนัก Overclock ที่มีแรมชิปนี้อยู่ได้ลองปรับแต่งกันว่าจะไปได้สุดๆ สักเท่าไรกัน. และที่สำคัญเลย… แรมคู่นี้ถ้าต้องการเสถียรจริงๆ ที่ระดับความเร็ว DDR4-4300Mhz ถึง DDR4-4400Mhz+ นั้นจำเป็นต้องคุมอุณหภูมิ Ambient โดยรอบให้ดีด้วย เพราะมันไม่ได้ทนร้อนได้แบบชิป Samsung B-Die ที่สามารถไปไกลในระดับ DDR4-4800Mhz+ ได้แบบนิ่มๆ โดยถ้าต้องการเอาแบบไม่ตึงมากแนะนำเลยที่ DDR4-4266CL18-22-22-42 1.45V คุณสามารถ Memtest ผ่านในห้องร้อนๆ ผ่านได้สบายๆ (แรมแต่ละชุดมีความสามารถในการ Overclock ต่างกัน) ส่วนชิป Hynix CJR เราก็คงแนะนำกันไว้เพียงเท่านี้ล่ะครับ ไว้พบกันใหม่โอกาสหน้า สวัสดีครับ ^^”

Special Thanks