แจกโปรไฟล์ OC แรม TT ToughRAM RGB 4x8GB และ 2x16GB

     สวัสดีครับ วันนี้นาย Audigy ใจดีทำ Profile OC สำหรับการปรับแต่งแรมของ Thermaltake ToughRAM RGB ชิปที่ใช้ชิป Hynix DJR หรือแรม ToughRAM RGB/Non-RGB ตั้งแต่ความเร็ว DDR4-4000 Module ขึ้นไป ร่วมกับเมนบอร์ด ROG MAXIMUS XII EXTREME + BIOS พิเศษ 0098 ที่สามารถเปิดความสามารถในการปรับแต่งค่า Timing แรมในส่วนของ TXP กับ PPD ที่ช่วยให้ Latency ของแรมลดลงได้อีก 1-2ns ได้ฟรีๆ กันเลยล่ะครับ จัดว่าเทพสุดๆ การปรับแต่ง TXP + PPD

     สำหรับรายละเอียดเนื้อหาของบทความฉบับนี้ ผมจะมี Overclock Profile และผลการทดสอบของแรม TT ToughRAM RGB ในรุ่น DDR4-4400 แถวละ 8GB x4 แถวรวม 32GB และในรุ่น High Capacity Module อย่าง ToughRAM RGB DDR4-3600 แถวละ 16GBx2 รวม 32GB ที่ใช้ชิป Hynix AJR มาให้เพื่อนๆ โหลดลองไปใช้งานหรือเป็นแนวทางในการปรับแต่งแรมทั้ง 2 ชุดกับเมนบอร์ด ROG MAXIMUS XII EXTREME ดูกันว่าจะแรงสักแค่ไหน

BIOS + Profile OC : ROG M12E + TT ToughRAM RGB

  • ?M12E BIOS 0098 + 4x8GB | 32GB @DDR4-4400CL18 TXP 4 + PPD 0
  • ?M12E BIOS 0098 + 2x16GB |32GB @DDR4-4133CL18 TXP 4 + PPD 0
  • ?Download Link : Click!!!

Hardware Spec.

CPU
 Intel Core i9-10900K 10C/20T retail
CPU Cooler  Direct Core + Liquid Gallium
Motherboard  ROG MAXIMUS XII EXTREME BIOS 0098
Memory
  • TT TOUGHRAM RGB DDR4-4400 CL19 32GB (8GBx4) DJR
  • TT TOUGHRAM RGB DDR4-3600 CL18 32GB (16GBx2) AJR
VGA  AMD RADEON RX 5700 XT 8GB
Hard Drive  KC600 1TB SSD (OS)
PSU  ToughPower FP1 ARGB 1050Watt 80PLUS Platinum
Base Test
 “DEFAULT”
OS  Windows 10 Pro 64 bit [Last Update] 2004

 

TT ToughRAM RGB DDR4-4400CL19 4x8GB | 32GB Module [DJR]

     เอาล่ะครับสำหรับชุด Profile แรกนั้นเป็นของแรม ToughRAM RGB DDR4-4400CL19-25-25-44 Module ซึ่งผมจับมาใส่ 4 แถว แล้วทำการปรับแต่ง Sub-Timing ใหม่ทั้งหมดให้แน่นขึ้น เรียกอัตราการตอบสนองให้ไวขึ้น ได้ที่ความเร็ว DDR4-4400 เท่าเดิมแต่ปรับแต่ง CL เป็น 18-24-24-42 2T 1.50V + Tight Sub-Timing + TXP 4 + PPD 0 ก็ทำให้ Latency ลงลมมาอยู่แถวๆ 39-40ns. ต้นๆ ได้เลยนะครับ จากก่อนหน้านี้จะอยู่แถวๆ 42-43ns+  จัดว่าค่า TXP + PDD ช่วยชีวิตชิป Hynix ได้มากเลยทีเดียว เพราะว่า CL หลักค่อนข้างสูงกว่าชิป Samsung B-Die จึงทำให้การกด Latency ลงนั้นทำได้ค่อนข้างยาก….

 

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

 

TestMem5

 

RunMemtest


TT ToughRAM RGB DDR4-3600 CL18 2x16GB | 32GB Module [AJR]

     และสำหรับผลการทดสอบด้านล่างนี้จะเป็นของแรม TT ToughRAM RGB แถวละ 16GBx2 รวมคู่ละ 32GB เป็นชิป Hynix AJR หรือ A-Die ตัวใหม่ล่าสุดที่เน้นขนาดความจุต่อแถวที่เยอะขึ้นกว่าชิป Hynix DJR ดังนั้นเรื่องของการ OC ก็จะยากกว่าที่ความเร็วปลายๆ กล่าวคือ @DDR4-4266+ ก็จะเริ่มยากแล้วล่ะครับ  ถ้าเอานิ่งๆ ผมมองว่าเล่นกับ M12E แบบ 2 แถวให้นิ่ง แนะนำถอยมาที่ความเร็ว DDR4-4133 CL18-24-24-42 ใช้ไฟเลี้ยงแรมไม่เยอะด้วย 1.485V เท่านั้น สามารถกด Sub-Timing ให้แน่นๆ แบบ DJR ได้เลยครับ และกด RTL /IOL ได้ต่ำอีกต่างหากที่ 65/66 | 7/7 และรีดพลังแผงด้วยค่า TXP 4 + PPD0 ก็ได้ Latency แถวๆ 42ns ได้เลยนะเออ…  สำหรับชิป Hynix มาแค่นี้ได้ถือว่าไม่ธรรมดาแล้วกับความเร้วแค่ DDR4-4133 CL18 เท่านั้น…

 

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

 

TestMem5

 

RunMemtest

เอาล่ะครับ ใครที่มีแรมของ TT ToughRAM RGB ชิป DJR/AJR รุ่นใกล้เคียงอยู่สามารถ Download Profile แรมและ BIOS ไปลองใช้งานดูกันได้เลยครับ ถ้าแรมคุณนิ่งจริง ผมว่าก็น่าจะใช้งานและสั่งเผาแรมได้ตามผมเลยนะครับ ลองแล้วเป็นอย่างไร ฝากบอกกันด้วย  สวัสดีครับ ^^”