โอว์แม่จ้าว Samsung พร้อมปล่อย 2nd-Generation 10nm Class DRAM คาดว่าแรงกว่าเดิม 10-15%

Samsung Mass Producing 2nd-Generation 10nm Class DRAM

     ซัมซุงโชว์เหนือด้วยการผลิตเม็ดแรม DDR4 เจนใหม่ในรุ่นที่สอง (2nd-generation of 10-nano) ด้วยเม็ดแรมแบบ 8Gb DDR4 รุ่นใหม่ที่เคลมว่าจะแรงกว่าของเดิมราวๆ 10-15% ด้วยความสามารถในการส่งข้อมูลที่เร็วขึ้นที่ 3600 Mbps ต่อหนึ่ง pin เมื่อเทียบกับของเก่าทำได้ที่ 3200 Mbps ต่อ Pin ในแรม 8Gb DDR4 รุ่นก่อนหน้านี้ (Highest performance and energy Efficiency for an 8 Gb DDR4) โดยทาง Samsung ก็มีอัตราในการเร่งผลิตที่ค่อนข้างสูงด้วยล่ะราวๆ 30% เพิ่มขึ้นจากเดิม

ที่สำคัญเลยคือมันมาตอนยุคที่ราคาแรมแพงๆ ด้วยนี่สิ เฮ้อ….. หนักใจแทน แรมแรงขึ้นจริง แต่มาในช่วงที่มันแพงแบบนี้ ไม่แน่ใจว่าว่าจะเปิดตัวที่ราคาเท่าใดเมื่อถึงมือผู้ผลิตรายย่อยต่างๆ และที่สำคัญเราก็ต้องรอชมด้วยว่ามันจำหน่ายจริงที่ความเร็วแรมระดับไหน จะแรงขึ้นกว่าเดิมในระดับ DDR4-xxx Mhz+ หรือไม่,  หรือจะเป็นแรมที่เน้นการกด CL ได้ดีเพื่อเน้น Lantency ต่ำๆ หรือไปทั้งความเร็วแรมการกด CL แช่ต่ำๆ ไปได้ง่ายขึ้น, หรือจะเน้นลากยาวๆ CL สูงแต่ยังแรงเหมือนเดิม เพราะเห็นว่าแก้เรื่อง Pin การส่งข้อมูลได้ดีกว่าเดิมตามที่กล่าวไว้… อันนี้ก็ยังไม่แน่ใจครับ เราคงต้องลุ้นกันต่อไปว่าแรมชิปใหม่ 2nd-Generation 10nm ของ Samsung ที่กำลังจะมาในอนาคตอันใกล้นี้ จะมาในอารมณ์ไหนกันแน่… !!!

และที่สำคัญอีกอย่างหนึ่งเลย ทาง Samsung ก็เตรียมตั้งโรงงานเพื่อวางแผนผลิตเม็ดแรมรุ่นใหม่ๆ อย่างเช่น DDR5, HBM3, LPDDR5 และ GDDR6 ไว้รองรับเทคโนโลยีใหม่ๆ เป็นที่เรียบร้อยแล้ว….