Ultimate Samsung B-Die DDR4 @ 4800CL17-17-17-39 Dual-CH on Air

February 10, 2018February 10, 2018 Audigy 5691 Views

วันนี้ผมเอาแรม T-Force DDR4-3733 คู่เดิมมาทำความสะอาด ทาซิลิโคน Gelid GC-Extreme ใหม่และลองจูนดูกับ ROG MAXIMUS X APEX ดูอีกครั้งพบว่าแรงกระฉูดดีจริงๆ เพราะวันนี้อยู่ๆ มันก็สามารถบูทได้ที่ความเร็ว DDR4-4800 CL17-17-17-39 2T แบบ Dual Channel ได้ด้วยไฟเลี้ยง 1.73v เข้า Window ได้แบบไม่ยากเย็นเลย ทำให้ผมแปลกใจมาก ปกติต้องไล่จาก LN2 ขึ้นไปถึงจะทำได้ง่าย…. และที่สำคัญ Sub-Timing กดแทบไม่รู้จะกดอะไรแล้ว ไปชมกันเลยครับ…

นี่คือชิปแรม Samsung DDR4 ในรหัส B-Die ที่วางอยู่บน PCB รุ่นใหม่แบบเม็ดแรมชิดทางด้านซ้ายและขวา ข้างละ 4 เม็ด โดย PCB แบบนี้จะเด่นในเรื่องการ Overclock Frequency ได้ค่อนข้างสูง โดยเฉพาะความเร็วแรมที่เกินระดับ DDR4-4500Mhz+ จะเลือกใช้ PCB แบบนี้ทั้งสิ้น และยังรวมถึง PCB แบบ RGB LED ก็จะใช้พื้นฐานของ PCB แบบนี้ล่ะครับ ข้อเสียอาจจะกด CL ต่ำๆ ไม่ค่อยได้ อย่างเช่น DDR4-4000CL12-11-11 จะกดได้ยาก หรือแทบจะทำไม่ได้เลยก็ว่าได้ เอาน่า…ได้อย่างก็ต้องเสียอย่าง โดย PCB แบบนี้สามารถทำงานแบบติดลบหนักๆ ได้เยอะกว่า PCB แบบเดิมเยอะเลยล่ะครับ หรือช่วยให้อาการ Cold Bug ของแรมนั้นดีกว่า PCB รุ่นเดิมที่เป็นแบบเม็ดแรมกระจายบน PCB

นี่คือตัวอย่างของแรม DDR4 ที่เลือกใช้ PCB ต่างกัน โดยทั้ง 2 แบบนี้เลือกใช้ชิป Samsung B-Die ทั้งคู่ โดยแค่เปลี่ยน PCB ความสามารถในการ Overclock ก็จะต่างกันออกไป ทั้งนี้และทัั้งนั้นก็ขึ้นอยู่กับคุณภาพของชิปแรมด้วยอีกที

ส่วนชิปที่เห็นอยู่นี้คือ Samsung B-Die ที่ผลิตในปี 2016 ครับใน Week SEC 640 ซึ่งจัดว่าเป็น Lot ที่วิ่งดีมากเลยทีเดียว ซึ่งยุคหลังๆ น่าจะเป็น Week 728 หรือ 740 ขึ้นไปแล้ว

หลังจากผมทำความสะอาดเม็ดแรมเสร็จก็ทำการประกอบมันลงบน Heatspreader แรมจากค่าย EK เหมือนเดิมครับและทำการลองลากเล่นๆ ดูอีกรอบ ซึ่งผลการทดสอบรอบนี้ทำให้แปลกใจมาก เพราะอยู่ๆ มันก็บูทได้ที่อัตราทด DDR4-4800 CL19-19-19-43 ได้ด้วยไฟ 1.575V เท่านั้น ผมจึงลองไล่ต่อดูพบว่า DDR4-4800 CL18-18-18-39 ก็ยังบูทได้ จนไปจบด้วยที่ DDR4-4800CL17-17-17-39 2T ด้วยไฟเลี้ยง 1.730v พร้อมกับการกด Sub-Timing ทุกจุดเท่าที่จะกดได้ แล้วมุ่งไปที่การทดสอบ AIDA64 Cache & Memory Benchmark เพื่อดูค่า Read/Write/Copy ดูความแรงกัน (เนื่องด้วยแรมความเร็วระดับ 4800Mhz+ นั้นไม่ใช่เรื่อง่ายที่จะ Benchmark ผ่านได้ทุกๆ Bench อย่างเสถียรได้) ผมจึง Quick Test โปรแกรม AIDA ดูแบบขำๆ…

AIDA64 Cache & Memory Benchmark

และผลการทดสอบที่มาในครั้งนี้ก็น่าตกใจอย่างมาก เพราะความเร็วของแรม DDR4-4800 CL17-17-17-39 2T + Tight Sub-Timing ด้วยการระบายความร้อนด้วยอากาศเท่านั้น สามารถให้ความแรงของ Memory Bandwidth Read/Write/Copy ได้มากถึง 70,340 | 72,797 | 64,106 MB/s กันเลยทีเดียว โอว์ แม้จ้าว…. ทำไปได้…. ส่วน Latency นั้นอยู่ที่ระดับ 35.3ns จัดว่าไม่น่าเกลียดแล้วสำหรับแรม CL17 ที่วิ่งความเร็ว DDR4-4800 Dual Channel !!! และสำหรับวันนี้ก็ขอฝากผลการทดสอบเล็กๆ น้อยๆ ไว้ให้เพื่อนๆ ได้ชมกันเพียงแค่นี้ก่อนครับ เพราะกว่าจะได้เห็นตรงนี้ ผมก็นั่งเล่นอยู่ 3-4 ชั่วโมงกันเลยนาจา…. x_x เดี๋ยวไว้รอบหน้าเจอกันบน LN2 แน่นอนครับ จะวันเวลาไหนนั้น เราจะแจ้งให้ทราบกันอีกที สวัสดีครับ ^^”